ყველა მასალას შორის, რომლის 3D ბეჭდვაც შესაძლებელია, მინა კვლავ ერთ-ერთი ყველაზე რთული მასალაა.თუმცა, შვეიცარიის ფედერალური ტექნოლოგიური ინსტიტუტის ციურიხის (ETH Zurich) კვლევის ცენტრის მეცნიერები მუშაობენ ამ სიტუაციის შეცვლაზე მინის ბეჭდვის ახალი და უკეთესი ტექნოლოგიის მეშვეობით.
ახლა უკვე შესაძლებელია შუშის საგნების დაბეჭდვა და ყველაზე ხშირად გამოყენებული მეთოდები მოიცავს ან გამდნარი მინის ექსტრუზიას ან კერამიკული ფხვნილის შერჩევით აგლომერაციას (ლაზერული გათბობა) მის მინად გადაქცევისთვის.პირველს ესაჭიროება მაღალი ტემპერატურა და, შესაბამისად, სითბოს მდგრადი აღჭურვილობა, ხოლო მეორე ვერ აწარმოებს განსაკუთრებით რთულ ობიექტებს.ETH-ის ახალი ტექნოლოგია მიზნად ისახავს ამ ორი ხარვეზის გაუმჯობესებას.
იგი შეიცავს ფოტომგრძნობიარე ფისს, რომელიც შედგება თხევადი პლასტმასის და ორგანული მოლეკულებისგან, რომლებიც დაკავშირებულია სილიკონის შემცველ მოლეკულებთან, სხვა სიტყვებით რომ ვთქვათ, ისინი კერამიკული მოლეკულებია.არსებული პროცესის გამოყენებით, რომელსაც ეწოდება ციფრული სინათლის დამუშავება, ფისი ექვემდებარება ულტრაიისფერი სინათლის ნიმუშს.არ აქვს მნიშვნელობა სად მოხვდება შუქი ფისს, პლასტმასის მონომერი ჯვარედინი ბმული იქნება მყარი პოლიმერის შესაქმნელად.პოლიმერს აქვს ლაბირინთის მსგავსი შიდა სტრუქტურა და ლაბირინთში სივრცე სავსეა კერამიკული მოლეკულებით.
შედეგად მიღებული სამგანზომილებიანი ობიექტი იწვება 600°C ტემპერატურაზე პოლიმერის დასაწვავად და რჩება მხოლოდ კერამიკა.მეორე სროლისას სროლის ტემპერატურაა დაახლოებით 1000°C, ხოლო კერამიკა მკვრივდება გამჭვირვალე ფოროვან მინაში.ობიექტი საგრძნობლად იკუმშება, როდესაც ის გარდაიქმნება მინად, რაც არის ფაქტორი, რომელიც გასათვალისწინებელია დიზაინის პროცესში.
მკვლევარებმა განაცხადეს, რომ მიუხედავად იმისა, რომ აქამდე შექმნილი ობიექტები მცირეა, მათი ფორმები საკმაოდ რთულია.გარდა ამისა, ფორების ზომა შეიძლება დარეგულირდეს ულტრაიისფერი სხივების ინტენსივობის შეცვლით, ან შუშის სხვა თვისებები შეიძლება შეიცვალოს ფისში ბორატის ან ფოსფატის შერევით.
მინის ნაწარმის მსხვილმა შვეიცარიელმა დისტრიბუტორმა უკვე გამოთქვა ინტერესი ამ ტექნოლოგიის გამოყენების მიმართ, რომელიც გარკვეულწილად წააგავს გერმანიის კარლსრუეს ტექნოლოგიის ინსტიტუტში შემუშავებულ ტექნოლოგიას.
გამოქვეყნების დრო: დეკ-06-2021